ASML已经向Intel交付第一台高NA EUV极紫外光刻机，将用于2nm工艺以下芯片的制造，台积电、三星未来也会陆续接收，可直达1nm工艺左右。
那么之后呢？消息称，ASML正在研究下一代Hyper NA(超级NA)光刻机，继续延续摩尔定律。
ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值)，临界尺寸(CD)为13.5nm，最小金属间距为26nm，单次曝光下的内连接间距约为25-30nm，适合制造4/5nm工艺。
使用双重曝光，可将内连接间距缩小到21-24nm，就能制造3nm工艺了，比如台积电N3B。
第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA，临界尺寸缩小到8nm，金属间距最小约为16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。
ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认，ASML正在调查开发Hyper NA技术，继续推进各项光刻指标，其中NA数值将超过0.7，预计在2030年左右完成。
它表示，这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片，相比高NA双重曝光成本更低，也可用来制造DRAM内存芯片。
ASML已披露的数据显示，低NA光刻机的成本至少1.83亿美元，高NA光刻机更是3.8亿美元起步。
根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺，之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事儿了。
按理说，美国是世界上最强大的国家，也有着最强大的半导体行业与技术，但现状不容乐观。
根据美国乔治城大学沃尔什外交学院智库CSET(安全和新兴技术中心)的最新报告，美国晶圆厂的建设速度几乎已经是全球最慢的，而中国大陆正在极速追赶上来。
报告显示，20世纪90年代以来，全球共新建了635座晶圆厂，平均建设时间为682天。
建设速度最快的是日本，平均只需584天，然后是韩国620天、中国台湾654天、欧洲和中东690天、中国大陆701天。
美国则需要长达736天，只比东南亚的781天略好一些。
如果划分不同时间段来看，美国的情况更不容乐观。
199x年和200x年，美国平均只需675天就能建好一座晶圆厂，进入201x年则要花费918天。
与此同时，中国大陆和中国台湾分别缩短到了675天、642天。
进入202x年，美国的晶圆厂建设更是困难重重，经常无法按期完工。
比如台积电位于亚利桑那州的Fab 21又推迟了一年，Intel位于俄亥俄州的工厂从2025年延期到了2026年底，三星位于得克萨斯州的工厂跳票到了2025年。
数量方面美国也在快速下滑，199x年新建了55座，200x年只有43座，201x年则仅仅22座，合计120座。
同期，中国大陆分别新建了14座、75座、95座，合计184座，比美国多了足足一半。
虽然数量和速度不代表一切，尖端工艺上我们差距还非常大，但是CSET仍然提醒美国要小心中国的追赶。
尽管美国制定了《芯片法案》，推动半导体制造回流本土、抑制竞争，但效果不佳。
CSET强调，美国晶圆厂建设放缓，最大阻碍就是各种各样、纷繁复杂的法律法规，看似对公众有益，但严重阻碍了半导体发展，建议删除那些没必要的冗余条款，为半导体行业开绿灯。
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