下个月，备受瞩目的年度国际固态电路大会（ISSCC）即将拉开帷幕。届时，众多半导体行业巨头将齐聚一堂，共同探讨最新的技术革新和未来发展趋势。在这场科技盛会中，三星预计将展示其最新研发的NAND-Flash，这款存储器在数据密度方面创下了新高。
据悉，2月20日下午5点（欧洲时间）的一场重要会议，将由三星的高层亲自主持。会议名为“280层1Tb每单元4比特3D-NAND闪存，拥有28.5Gb/mm²的超高面积密度及3.2GB/s的高速I/O传输率”。
三星这一新一代的QLC-NAND-Flash，每个存储单元包含4比特，其面积密度高达28.5Gigabit每平方毫米，这一成就将超越当前市场领头羊长江存储的19.8 Gbit/mm² 232层QLC-NAND。同样，它也超过SK Hynix预告的超过300层、20.0 Gbit/mm²密度的TLC-NAND，以及英特尔首款每单元5比特、23.3 Gbit/mm²密度的PLC-NAND。
以下是目前各大公司3D-NAND存储器的存储密度情况（绿色代表TLC，橙色代表QLC，红色代表PLC，蓝色代表SLC）：
三星的这款QLC-NAND预计将超过280层，属于新一代的V9系列。早前，三星已经预告了2024年将启动V9 QLC NAND的生产。初步预计，新产品在面积密度上将提高超过80%，I/O接口速度也将从之前的2.4 Gbit/s提升至3.2 Gbit/s。这不仅展现了三星在存储领域的激进策略，也反映出其在与美光和长江存储等竞争对手激烈竞争中的迫切需求。
三星曾强调，QLC-NAND将是存储市场的长期趋势。尽管其写入速度目前尚存在不足，但预期未来将有显著提升。而更高的面积密度，意味着更低的生产成本，每个晶圆能够容纳更多的存储单元，生产效率得到极大提高。随着这一技术的推出，我们有望在不久的将来看到高达8TB和16TB的M.2 SSD。
同样值得期待的是，美光也将在ISSCC 2024上展示其最新技术。他们将于同一天举办“基于2YY技术的1Tb密度、每单元3比特的3D-NAND闪存，具备300MB/s的写入吞吐量”会议。业界普遍关注，这是否将是美光的新一代存储器，或是目前232层TLC版本的升级。该版本已经为市场上最快的PCIe-5.0 SSD提供了支持。
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